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SiLM27517H

单通道（dào） 20V, 4A/5A 高欠压保护低边（biān）门极驱动器

样片申（shēn）请（qǐng）

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品概（gài）述

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SiLM27517H 系列是（shì）单通（tōng）道（dào）高欠（qiàn）压（yā）保护低（dī）边门极驱动器，可（kě）有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27517H 采（cǎi）用一种（zhǒng）能够从（cóng）内部极大的降低直通电流的设计，将高（gāo）峰值的源（yuán）电流和灌电流脉（mò）冲（chōng）提供给（gěi）电容负载，以实（shí）现轨到轨的驱动（dòng）能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延（yán）迟。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值（zhí）灌（guàn）电流。SiLM27517H 欠压锁定保护（hù） (UVLO)12.5/11.5V。

产品特（tè）性

低成（chéng）本的门极驱动方案可用于替（tì）代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能（néng）力（lì）

快（kuài）速（sù）的传播延时（典型值为 18ns）

快速的上升（shēng）和下降时间（典型值（zhí）为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单（dān）电（diàn）源（yuán）范围

SiLM27517H 欠压锁定保护（hù） (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输（shū）入设计(可选择反（fǎn）相或（huò）非反（fǎn）相驱动配置)

输入浮（fú）空（kōng）时输（shū）出（chū）保持为低

工作温度范（fàn）围为 -40°C 到 140°C